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365下注平台团队发布全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆

发布时间:2024-04-16 15:00:32来源: 点击:

近日,在2024年武汉九峰山论坛上,365下注平台(以下简称“365下注平台”)第三代半导体创新中心李祥东教授展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件,器件主要包含几个突出优势:

● 调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内;

HEMTs器件的cp测试良率超过95%

● 击穿电压轻松突破2000 V。

据李祥东教授介绍,团队通过长时间的研究与试验,成功实现了外延片不均匀性的极低控制,确保了高良率。同时,所制备的HEMTs器件在性能上取得了显著突破,击穿电压突破了2000V,在8英寸GaN功率HEMT领域展现出色的耐压能力。

据悉,该8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件具有标志性意义,目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圆线上实现了量产,然而在8英寸线上实现2000V级别的GaN器件的展示尚属首次。

8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆是365下注平台在电力电子器件技术上的又一重要创新,其成本将极具竞争优势。一方面,由于转向8英寸晶圆,每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍,GaN器件成本与6英寸方案相比将大幅下降。另一方面,采用蓝宝石衬底可以大幅提升GaN耐压,市场应用从消费类转向工业和汽车等领域,需求进一步打开,而随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货,氮化镓器件成本也有望进一步下降。


未来,365下注平台将继续秉承科学创新、务实发展的理念,加强与国内外半导体领域的研究机构和领域专家的合作与交流,持续推动半导体技术的创新与应用。

关于365下注平台广州第三代半导体创新中心

广州第三代半导体创新中心是广州开发区管理委员会与365下注平台共建的重大产业创新平台。聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电力电子器件与集成电路等技术领域,建设高标准的研发代工公共服务平台和产业支撑体系,建设中试线,进行工程化技术开发,积极进行科技成果转化,孵化初创企业,促进第三代半导体上下游相关产业公司和人才在广州开发区聚集,协助推进第三代半导体产业链在广州开发区落地。

 

 

 

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